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對于考古紡織品結(jié)構(gòu)和材料的研究通常很復(fù)雜，并且由于樣品容易受到沉積后的影響，如污垢和腐爛，這可能使研究人員的工作變得更加費(fèi)力和麻煩。在考古學(xué)的相關(guān)研究中，侵入式的研究方法是不可取的，因?yàn)榘l(fā)掘出來的大多數(shù)物品都是稀缺的，保存這些物品至關(guān)重要，尤其是考古紡織品，很容易破損，而且其外部通常覆蓋著硬化的泥土或粘土，無法去除。這時(shí)，使用μCT或3DXRM這種能夠提供微米尺度的無損成像技術(shù)將很好地幫助我們通過橫截面或3D可視化來研究這些易碎物品并且不會(huì)損壞它們，以達(dá)到樣品重復(fù)利用研究的目...

隨著全球?qū)δ茉葱枨蟮牟粩嘣黾?，特別是在電動(dòng)或混合動(dòng)力汽車和可再生能源管理這些領(lǐng)域，人們越來越注重以較低的電力消耗為目標(biāo)，因此能在高頻、高溫、高壓環(huán)境下工作的第三代半導(dǎo)體材料碳化硅（SiC）逐漸受到了廣泛的關(guān)注。目前碳化硅產(chǎn)業(yè)已成為全球范圍內(nèi)一個(gè)新興的高技術(shù)行業(yè)，涵蓋了材料、器件、模塊以及應(yīng)用等多個(gè)方面的產(chǎn)業(yè)鏈。然而，在生產(chǎn)和制備過程中應(yīng)怎樣確保SiC的穩(wěn)定性和工作效率呢？較基礎(chǔ)、高效的方式就是準(zhǔn)確測量它們的電阻率或電導(dǎo)率。按照摻雜后SiC的電阻率來分類，碳化硅襯底主要有導(dǎo)通型...

X射線衍射技術(shù)在藥物分析中有著廣泛的應(yīng)用。X射線衍射技術(shù)是一種用于研究物質(zhì)結(jié)構(gòu)的分析方法，它通過測量X射線在晶體中的衍射角度，來確定晶體的結(jié)構(gòu)。這種技術(shù)在藥物分析中具有很多應(yīng)用。自藥典和法規(guī)對涉及藥物晶型研究相關(guān)的問題時(shí)，X射線衍射技術(shù)在藥物分析中的應(yīng)用開始增加，為藥物研發(fā)、生產(chǎn)和質(zhì)量控制提供重要的技術(shù)支持。常見的有下面幾種。藥物API晶型分析藥物雜質(zhì)分析（堿式碳酸鑭雜質(zhì)定量）結(jié)晶度分析原位分析在藥物成分鑒定、藥物合成監(jiān)測、藥物制劑分析、藥物與生物分子相互作用研究、藥物溶解度...

許多壽命測量方法，如QSSPC、μPCD或CDI，以及MDP在極低的注入濃度下都存在異常高的測量壽命。這種效應(yīng)是由于樣品中的捕獲中心造成的。這些捕獲中心對于了解材料中載流子的行為非常重要，并且也會(huì)對太陽能電池產(chǎn)生影響。因此，需要以高分辨率來測量缺陷密度和這些缺陷中心的活化能。借助MDPmap和MDPingot，可以通過一次測量來測量光電導(dǎo)率以及少數(shù)載流子壽命，并在寬注入范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)全自動(dòng)測量。巧妙的算法可以確定樣品中的缺陷濃度。根據(jù)注入相關(guān)壽命曲線，可以確定低注入下的壽命τLL...

鋰離子電池，由于其具有高能量密度和體積能量密度，循環(huán)壽命長，無記憶效應(yīng)等優(yōu)點(diǎn)，越來越受到市場和消費(fèi)者的青睞，這也推動(dòng)了鋰離子電池的快速發(fā)展和針對其研究的不斷深入。XRM憑借著其能在無損情況下表征樣品真實(shí)三維結(jié)構(gòu)的特點(diǎn)，在近些年逐漸成為鋰電池研究中的重要表征手段之一，且應(yīng)用范圍也在不斷擴(kuò)展。實(shí)例一軟包電池多尺度表征BrukerSkyscan2214樣品整體掃描，11um局部高分辨掃描，正極，1um局部高分辨掃描，隔膜，0.15um電池正極顆粒粒徑分布（左圖）及孔徑分布（右圖）實(shí)...

藥物大部分以晶體的形式存在，利用X射線衍射，我們可以獲得每種不同的晶型的藥物特征的衍射信息。如同指紋一樣，在數(shù)據(jù)庫中每種晶型都有特征的衍射圖譜。即使對于含有多成分的固體制劑而言，其中原料藥與輔料各自對應(yīng)的粉末X射線衍射圖譜不會(huì)發(fā)生變化，可作為藥物晶型定性判斷的依據(jù)。因而對于未知的藥物樣品，通過PXRD，我們可以很快通過比對實(shí)測圖中的衍射峰的位置，強(qiáng)度，從已有數(shù)據(jù)庫中查到原料藥的晶體結(jié)構(gòu)相匹配的衍射圖譜，從而準(zhǔn)確鑒定該藥物的晶型。PXRD對于藥物晶型的定性研究主要分為兩個(gè)方面：...

局域結(jié)構(gòu)是指構(gòu)成材料的原子或離子在幾個(gè)晶胞尺度范圍內(nèi)（具體來說，使用X射線等探針對目標(biāo)樣品進(jìn)行散射實(shí)驗(yàn)后，獲得的信號(hào)強(qiáng)度I隨Q的分布函數(shù)I（Q）（Q=4πsinθ/λ）中同時(shí)包含了相干散射、非相干散射以及背景信號(hào)，扣除背景后按照下式進(jìn)行處理從而獲得全散射函數(shù)S(Q)：而后，對S(Q)-1以Q為權(quán)重處理后（即Q[S(Q)-1]，也被稱作F(Q)），再進(jìn)行傅里葉變換，即可得到對分布函數(shù)G(r)：對于不同結(jié)構(gòu)的材料，其原子對的分布規(guī)律也各不相同，圖1展示了立方堆積和六方堆積的G(r...

1925年P(guān)ierreAuger在威爾遜云室中發(fā)現(xiàn)了俄歇電子，并進(jìn)行了理論解釋，俄歇電子以他的名字命名。1953年，JamesJosephLander使用了電子束激發(fā)俄歇電子能譜，并探討了俄歇效應(yīng)應(yīng)用于表面分析的可能性。1967年LarryHarris提出了微分處理來增強(qiáng)AES譜圖信號(hào)。美國明尼蘇達(dá)大學(xué)的RolandWeber,PaulPalmberg和他們的導(dǎo)師BillPeria進(jìn)行的研究揭示了俄歇電子能譜的表面靈敏特性，研制了早期商用俄歇表面分析儀器（如圖1所示），并基于...